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第三代半导体材料发展态势分析
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按照国家科技图书文献中心为国家“十三五”规划中的国家重点研发计划开展科技信息支撑和保障服务的战略部署,结合“战略性先进电子材料”重点专项及中国科学院文献情报中心情报分析与服务特色和优势,本书遴选了第三代半导体材料领域作为研究对象。本书调研了主要科技发达国家制定的第三代半导体材料相关科技政策;对以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的关键材料领域开展研发技术专利、相关行业产业化应用及市场调研和分析;嵌入机器学习方法,突破传统情报研究与服务范式,重点对碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)进行了热点研究方向判断和分析,以期为我国第三代半导体材料及相关技术发展提供参考,为突破摩尔定律极限、集成电路“卡脖子”技术提供一个发现问题、解决问题的视角。
目录(47章)
倒序
- 封面
- 版权信息
- 内容简介
- 编委会
- 前言
- 第1章 绪论
- 1.1 研究背景
- 1.2 研究内容和方法
- 1.3 数据来源
- 1.4 术语解释
- 1.5 其他说明
- 第2章 第三代半导体材料相关科技政策
- 2.1 美国第三代半导体材料相关科技政策
- 2.2 欧洲第三代半导体材料相关科技政策
- 2.3 日本第三代半导体材料相关科技政策
- 2.4 韩国第三代半导体材料相关科技政策
- 2.5 中国第三代半导体材料相关科技政策
- 第3章 碳化硅半导体材料
- 3.1 碳化硅半导体材料研究背景
- 3.2 碳化硅半导体材料专利分析
- 3.3 碳化硅半导体材料专利主题分析
- 3.4 碳化硅半导体材料专利被引科学文献分析
- 3.5 碳化硅半导体材料小结
- 第4章 氮化镓半导体材料
- 4.1 氮化镓半导体材料研究背景
- 4.2 氮化镓半导体材料专利分析
- 4.3 氮化镓半导体材料专利主题分析
- 4.4 氮化镓半导体材料专利被引科学文献分析
- 4.5 氮化镓半导体材料小结
- 第5章 氮化铝半导体材料
- 5.1 氮化铝半导体材料研究背景
- 5.2 氮化铝半导体材料专利分析
- 5.3 氮化铝半导体材料小结
- 第6章 氧化锌半导体材料
- 6.1 氧化锌半导体材料研究背景
- 6.2 氧化锌半导体材料专利分析
- 6.3 氧化锌半导体材料小结
- 第7章 金刚石半导体材料
- 7.1 金刚石半导体材料研究背景
- 7.2 金刚石半导体材料专利分析
- 7.3 金刚石半导体材料小结
- 第8章 结论及建议
- 8.1 发展态势总结
- 8.2 存在问题
- 8.3 对策建议
- 参考文献
- 反侵权盗版声明 更新时间:2021-01-05 18:43:01
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